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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FDD2670

FDD2670 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 21:14:17 查看 閱讀�17

FDD2670是一款N溝道增強型場效應晶體管(MOSFET�,主要應用于高頻開關電路、功率轉換器和電機驅動等場景。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電�、高開關速度和良好的熱性能。其封裝形式通常為TO-220,適合大電流和高效率的應用需��
  該MOSFET在電源管理領域具有較高的性價�,適用于工業(yè)級和消費級電子設備中的多種場景�

參數

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�43A
  導通電阻:5mΩ
  總柵極電荷:85nC
  輸入電容�1300pF
  工作結溫范圍�-55� to 150�

特�

FDD2670的核心優(yōu)勢在于其超低的導通電阻(5mΩ�,這有助于減少導通損耗并提高整體效率。同時,它具備快速的開關速度,能夠有效降低開關損�,非常適合高頻應用環(huán)境�
  此外,該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的性能輸出。其封裝設計便于散熱,進一步提升了器件的可靠��
  對于需要處理大電流的應用場景,例如電動工具、不間斷電源(UPS)或逆變器,F(xiàn)DD2670是理想的選擇。由于其高效的功率轉換能力,該器件在節(jié)能和空間受限的設計中表現(xiàn)尤為突出�

應用

FDD2670廣泛應用于各類功率電子系�(tǒng)中,包括但不限于以下場景�
  - 開關電源(SMPS�
  - DC-DC轉換�
  - 電機驅動與控�
  - UPS不間斷電�
  - 太陽能逆變�
  - 電動工具及家電驅�
  由于其高電流承載能力和低功耗特�,這款MOSFET特別適合對效率和熱管理要求較高的場合�

替代型號

FDP5500
  IRFZ44N
  STP40NF06L

fdd2670推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
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fdd2670資料 更多>

  • 型號
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  • FDD2670
  • 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
  • FAIRCHILD&nbs...
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fdd2670參數

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 3.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1228pF @ 100V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�TO-252
  • 包裝帶卷 (TR)