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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDD3672-F085

FDD3672-F085 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 13:07:01 查看 閱讀�19

FDD3672-F085是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率�(chǎng)效應(yīng)晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  這款MOSFET的封裝形式為T(mén)O-252(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能和較高的電流承載能力�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�14A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�16nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:典型值t_on=11ns,t_off=29ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

FDD3672-F085具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
  3. 較高的電流處理能力,適用于大功率�(chǎng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 封裝小巧但具備良好的散熱性能,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

FDD3672-F085適用于多種電力電子應(yīng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  4. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 充電器和適配器中的功率管理元件�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的控制開(kāi)�(guān)�

替代型號(hào)

FDP5580, IRF540N, AO4402

fdd3672-f085推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

fdd3672-f085參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, UltraFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)44A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)47 毫歐 @ 21A�6V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)36 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1635 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)144W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�TO-252AA
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn) + 接片�,SC-63