FDD3672-F085是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率�(chǎng)效應(yīng)晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
這款MOSFET的封裝形式為T(mén)O-252(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能和較高的電流承載能力�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�16nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型值t_on=11ns,t_off=29ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
FDD3672-F085具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
3. 較高的電流處理能力,適用于大功率�(chǎng)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
5. 封裝小巧但具備良好的散熱性能,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
FDD3672-F085適用于多種電力電子應(yīng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
4. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 充電器和適配器中的功率管理元件�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的控制開(kāi)�(guān)�
FDP5580, IRF540N, AO4402