FDD3N50NZTM 是一款由 Fairchild(現(xiàn)已被 ON Semiconductor 收購)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TO-220 封裝,適用于多種高功率應用場�。FDD3N50NZTM 的主要特點是其低導通電阻和高開�(guān)速度,使其成為電源轉(zhuǎn)�、電機控制和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應用的理想選擇�
FDD3N50NZTM 的最大工作電壓為 500V,能夠承受較高的漏源極電�,同時具備良好的熱性能和電氣性能�
最大漏源極電壓�500V
最大漏極電流:1.6A(在脈沖條件下可� 4.8A�
導通電阻:2.7Ω(典型�,在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�9nC(典型值)
開關(guān)時間:開啟延遲時� 35ns,下降時� 20ns
封裝形式:TO-220
FDD3N50NZTM 具備以下顯著特性:
1. 高電壓處理能�,適合需要高壓操作的工業(yè)應用�
2. 極低的導通電�,減少了導通損耗并提高了效率�
3. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損�,尤其在高頻應用中表�(xiàn)�(yōu)異�
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,確保在長時間運行下的可靠性和散熱��
5. 小型化的 TO-220 封裝�(shè)計,便于集成到各種電路板��
FDD3N50NZTM 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動和控制電路�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
4. 電池充電器和逆變��
5. 各類需要高效功率切換的電子�(shè)備中�
FDP3N50Z, IRF540N, STP3NC50E