FDD5690是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效能功率控制的場(chǎng)景中。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
這款MOSFET具有出色的熱性能和電氣特性,非常適合用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備以及汽車電子等領(lǐng)域。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:32A
導(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷:48nC
輸入電容:1780pF
總電容:525pF
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流應(yīng)用中可以減少能量損耗。
2. 高擊穿電壓,保證了其在復(fù)雜電路環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
3. 快速開關(guān)速度,有助于提升整體系統(tǒng)的效率并降低電磁干擾。
4. 具有較強(qiáng)的抗雪崩能力和熱穩(wěn)定性,能夠在極端條件下正常工作。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì),便于集成到緊湊型電路板上。
1. 開關(guān)電源中的功率開關(guān)元件。
2. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制器件。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
4. 電池保護(hù)電路中的過流保護(hù)元件。
5. 汽車電子中的負(fù)載開關(guān)和繼電器替代方案。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
FDP5600
FDS6680
IRFZ44N