FDD5690是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET�(chǎng)效應(yīng)晶體管,廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等需要高效能功率控制的場(chǎng)景中。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
這款MOSFET具有出色的熱性能和電氣特�,非常適合用于消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及汽車電子等�(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�32A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�48nC
輸入電容�1780pF
總電容:525pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在高電流應(yīng)用中可以減少能量損��
2. 高擊穿電�,保證了其在�(fù)雜電路環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性�
3. 快速開�(guān)速度,有助于提升整體系統(tǒng)的效率并降低電磁干擾�
4. 具有較強(qiáng)的抗雪崩能力和熱�(wěn)定�,能夠在極端條件下正常工作�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于集成到緊湊型電路板��
1. 開關(guān)電源中的功率開關(guān)元件�
2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制器件�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
4. 電池保護(hù)電路中的過流保護(hù)元件�
5. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和繼電器替代方案�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
FDP5600
FDS6680
IRFZ44N