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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FDD6030BL

FDD6030BL 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 14:01:33 查看 閱讀�20

FDD6030BL是一種N溝道增強型功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于高效�、高頻開關應�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關特�,廣泛用于電源管�、電機驅動、DC-DC轉換器以及其他需要高效能功率控制的場��
  FDD6030BL的設計目標是�(yōu)化功耗和散熱性能,同時保持較高的耐用性和可靠�。其封裝形式通常為TO-220,便于散熱設計和安裝�

參數

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  導通電阻(Rds(on)):8.5mΩ(典型�,Vgs=10V時)
  柵極電荷�49nC(典型值)
  輸入電容�2700pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-220

特�

FDD6030BL的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少導通損�,提升整體效��
  2. 快速開關能�,適合高頻操作環(huán)��
  3. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下也能安全運行�
  4. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�
  5. 良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適應惡劣的工作�(huán)��
  6. �(yōu)化的柵極驅動特性,易于與外部驅動電路匹��

應用

FDD6030BL主要應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器中的功率開關�
  2. 電機驅動和控�,例如家用電器中的風�、泵等�
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電機控制�
  5. 各類電池充電器和逆變��
  6. 其他需要高效功率控制的場合�

替代型號

FDP6030BL,FDS6030BL

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fdd6030bl參數

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 產品種類MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流42 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)0.0077 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 175 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TO-252AA
  • 封裝Reel
  • 下降時間5 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散3.8 W
  • 上升時間10 ns
  • 工廠包裝數量2500
  • 典型關閉延遲時間18 ns
  • 零件號別�FDD6030BL_NL