FDD6644S是一款N溝道增強型MOSFET(場效應(yīng)晶體管),適用于高頻開關(guān)�(yīng)用。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理模�、負(fù)載開�(guān)等場景�
其封裝形式為SOT-23,這種小型封裝使其非常適合空間受限的應(yīng)用場��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±10V
連續(xù)漏極電流�1.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):85mΩ(典型�,Vgs=10V時)
柵極電荷�3nC(典型值)
總電容:30pF(輸入電容)
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計有助于減少功率損�,提升效��
2. 快速開�(guān)性能使得器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
3. 小型SOT-23封裝便于PCB布局,同時支持表面貼裝技�(shù)(SMT��
4. 高雪崩耐量能力增強了器件的魯棒性和可靠��
5. 寬工作溫度范圍適�(yīng)各種�(huán)境條件下的應(yīng)用需��
1. 開關(guān)電源中的同步整流電路�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
3. 移動�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. LED�(qū)動器中的電流控制元件�
5. 電池保護和管理電路中的開�(guān)組件�
FDD6672S, FDN337N, BSS138