FDD6670AS是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他功率管理電路中。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
這款MOSFET適用于中低電壓場(chǎng)�,其封裝形式為SOT-23,適合在空間受限的設(shè)�(jì)中使��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�1.1A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
總功耗:420mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
FDD6670AS具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. 小型化的SOT-23封裝,非常適合緊湊型�(shè)�(jì)�
4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持性能�
5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升了器件的抗靜電能力�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的需��
FDD6670AS常用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流��
2. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的電池管理�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
5. 信號(hào)路徑切換和其他低功耗控制電��
由于其低�(dǎo)通電阻和小型化封裝,該器件特別適合對(duì)尺寸和效率有�(yán)格要求的�(chǎn)品設(shè)�(jì)�
FDS6670A, FDN340P, AO3400A