FDD6688是一款N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于開�(guān)和功率放大應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,適合在高效率電源�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等場景中使用�
這款MOSFET以其出色的性能和可靠性著�,在�(shè)�(jì)上注重降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�32A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�74nC
總電容(輸入電容):2290pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
FDD6688具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損��
2. 高額定電�,能夠支持大功率�(yīng)��
3. 快速開�(guān)速度,優(yōu)化了動態(tài)性能�
4. 良好的熱�(wěn)定�,適�(yīng)寬廣的工作溫度范��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這些特點(diǎn)使得FDD6688成為眾多工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
FDD6688廣泛�(yīng)用于各種需要高效能功率控制的領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電動工具中的電機(jī)�(qū)�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切�
4. 電信系統(tǒng)中的DC/DC�(zhuǎn)�
5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS�
由于其卓越的電氣性能和可靠性,F(xiàn)DD6688在上述應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
FDP6688
FDS6688