FDD6690S是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用先進的半導體工藝制�,主要用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景。該器件具有較低的導通電�、良好的開關特性和較高的電流處理能�,適用于各種電源管理電路、電機驅動以及負載切換等應用領域�
其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼�,有助于提高系統(tǒng)的可靠性和散熱性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:30mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:140W
工作結溫范圍�-55℃至175�
FDD6690S具有以下顯著特點�
1. 低導通電阻:在給定的工作條件�,能夠有效減少功率損耗,提升效率�
2. 快速開關速度:具備較低的輸入電容和柵極電�,支持高頻操��
3. 高可靠性:通過嚴格的測試流�,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
4. 熱性能�(yōu)異:采用DPAK封裝,增強了散熱能力�
5. ESD保護:內置ESD防護結構,提升了抗靜電能力�
該MOSFET適用于多種電力電子應用場合:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和降壓轉換器�
2. DC-DC轉換器及電壓調節(jié)模塊(VRM)�
3. 電池保護和充電管理電��
4. 電機驅動和逆變器控��
5. 各類負載開關和保護電��
FDP5500, IRLZ44N, FDS6680