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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FDD6690S

FDD6690S 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 9:01:55 查看 閱讀�10

FDD6690S是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用先進的半導體工藝制�,主要用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景。該器件具有較低的導通電�、良好的開關特性和較高的電流處理能�,適用于各種電源管理電路、電機驅動以及負載切換等應用領域�
  其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼�,有助于提高系統(tǒng)的可靠性和散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻:30mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  總功耗:140W
  工作結溫范圍�-55℃至175�

特�

FDD6690S具有以下顯著特點�
  1. 低導通電阻:在給定的工作條件�,能夠有效減少功率損耗,提升效率�
  2. 快速開關速度:具備較低的輸入電容和柵極電�,支持高頻操��
  3. 高可靠性:通過嚴格的測試流�,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
  4. 熱性能�(yōu)異:采用DPAK封裝,增強了散熱能力�
  5. ESD保護:內置ESD防護結構,提升了抗靜電能力�

應用

該MOSFET適用于多種電力電子應用場合:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和降壓轉換器�
  2. DC-DC轉換器及電壓調節(jié)模塊(VRM)�
  3. 電池保護和充電管理電��
  4. 電機驅動和逆變器控��
  5. 各類負載開關和保護電��

替代型號

FDP5500, IRLZ44N, FDS6680

fdd6690s推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdd6690s參數(shù)

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流40 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)0.016 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TO-252
  • 封裝Reel
  • 下降時間14 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散50 W
  • 上升時間10 ns
  • 典型關閉延遲時間34 ns