時間：2025/5/7 10:36:27
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FDD8444是一種N溝道增強型功率MOSFET，采用DFN5x6-8封裝形式。該器件適用于多種高頻開關(guān)和電源管理應(yīng)用場合，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高電流承載能力的特點。它廣泛用于消費電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制領(lǐng)域。
最大漏源電壓(Vds)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：31A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.7mΩ
總柵極電荷(Qg)：20nC
輸入電容(Ciss)：1090pF
輸出電容(Coss)：155pF
反向傳輸電容(Crss)：35pF
工作溫度范圍(Tj)：-55℃至175℃
FDD8444具備以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 快速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用。
3. 高雪崩能量能力，增強了器件的魯棒性。
4. 小尺寸DFN5x6-8封裝，便于PCB布局和散熱設(shè)計。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛工藝。
6. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運行。
FDD8444主要應(yīng)用于以下場景：
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率級開關(guān)。
4. 電池保護(hù)系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
5. LED驅(qū)動器中的高效開關(guān)元件。
6. 各種需要高頻、高效切換的場合。
FDS8444N, IRF8444, Si7844DP
