FDD8444是一種N溝道增強型功率MOSFET,采用DFN5x6-8封裝形式。該器件適用于多種高頻開�(guān)和電源管理應(yīng)用場�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高電流承載能力的特�。它廣泛用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)域�
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�31A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.7mΩ
總柵極電�(Qg)�20nC
輸入電容(Ciss)�1090pF
輸出電容(Coss)�155pF
反向傳輸電容(Crss)�35pF
工作溫度范圍(Tj)�-55℃至175�
FDD8444具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒��
4. 小尺寸DFN5x6-8封裝,便于PCB布局和散熱設(shè)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝�
6. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運行�
FDD8444主要�(yīng)用于以下場景�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流��
2. DC/DC�(zhuǎn)換器的功率開�(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
4. 電池保護(hù)系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
5. LED�(qū)動器中的高效開關(guān)元件�
6. 各種需要高�、高效切換的場合�
FDS8444N, IRF8444, Si7844DP