FDD8586是一款N溝道增強型MOSFET功率晶體�,采用TO-252表面貼裝封裝形式。該器件廣泛用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和�(fù)載切換等�(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻特性可以顯著降低功耗并提高效率�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻:35mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:2.2W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
FDD8586具有非常低的�(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�。此外,該器件具備快速開�(guān)速度和低柵極電荷,從而減少了開關(guān)損��
由于采用了先進的制造工�,F(xiàn)DD8586能夠提供卓越的熱性能,并且在表面貼裝�(shè)計中易于集成到各種電路板��
該器件還具有較高的雪崩耐量能力,增強了其在異常條件下的魯棒��
FDD8586主要�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域中的多種場合,包括但不限于以下�(yīng)用:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. �(fù)載開�(guān)
4. 電池保護
5. 各類電機�(qū)�
6. 電信�(shè)備中的功率管理模�
7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與切換
IRF540N
FDP5800
STP11NM60S