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FDD8586 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 14:07:08 查看 閱讀�30

FDD8586是一款N溝道增強型MOSFET功率晶體�,采用TO-252表面貼裝封裝形式。該器件廣泛用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和�(fù)載切換等�(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻特性可以顯著降低功耗并提高效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�11A
  �(dǎo)通電阻:35mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  總功耗:2.2W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�

特�

FDD8586具有非常低的�(dǎo)通電阻,這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�。此外,該器件具備快速開�(guān)速度和低柵極電荷,從而減少了開關(guān)損��
  由于采用了先進的制造工�,F(xiàn)DD8586能夠提供卓越的熱性能,并且在表面貼裝�(shè)計中易于集成到各種電路板��
  該器件還具有較高的雪崩耐量能力,增強了其在異常條件下的魯棒��

�(yīng)�

FDD8586主要�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域中的多種場合,包括但不限于以下�(yīng)用:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. �(fù)載開�(guān)
  4. 電池保護
  5. 各類電機�(qū)�
  6. 電信�(shè)備中的功率管理模�
  7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與切換

替代型號

IRF540N
  FDP5800
  STP11NM60S

fdd8586推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdd8586資料 更多>

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fdd8586參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C35A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫歐 @ 35A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2480pF @ 10V
  • 功率 - 最�77W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDD8586TR