FDD86250-F085是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,主要用于功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于高效率電源設(shè)計(jì)。
它屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。其出色的性能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件。
型號(hào):FDD86250-F085
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds(漏源電壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ
Id(持續(xù)漏電流):117A
Qg(柵極電荷):9nC
Vgs(th)(柵源開(kāi)啟電壓):1.5V
Pd(最大功耗):240W
封裝:TO-247
FDD86250-F085具有非常低的導(dǎo)通電阻Rds(on),僅為4.5mΩ,這大大減少了導(dǎo)通損耗,從而提高了系統(tǒng)效率。
此外,該器件具備快速開(kāi)關(guān)能力,其柵極電荷Qg為9nC,確保在高頻操作下仍能保持高效性能。
FDD86250-F085還支持高達(dá)117A的持續(xù)漏電流,滿(mǎn)足高功率應(yīng)用需求。同時(shí),其小型化和優(yōu)化的熱性能封裝設(shè)計(jì)有助于簡(jiǎn)化散熱管理。
該器件工作溫度范圍廣,從-55°C到175°C,適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
FDD86250-F085主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景,包括但不限于:
1. 工業(yè)級(jí)DC-DC轉(zhuǎn)換器
2. 高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)
3. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
4. 太陽(yáng)能逆變器
5. 通信電源模塊
6. 筆記本電腦適配器及充電器
其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為這些領(lǐng)域的理想選擇。
FDD86250D, IRF260N, FDP5500