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FDD86250-F085 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/6 17:18:41 查看 閱讀：10

FDD86250-F085是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）器件，主要用于功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適用于高效率電源設(shè)計(jì)。
　　它屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，廣泛用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。其出色的性能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件。

參數(shù)

型號(hào)：FDD86250-F085
　　類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　Vds（漏源電壓）：30V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：4.5mΩ
　　Id（持續(xù)漏電流）：117A
　　Qg（柵極電荷）：9nC
　　Vgs(th)（柵源開(kāi)啟電壓）：1.5V
　　Pd（最大功耗）：240W
　　封裝：TO-247

特性

FDD86250-F085具有非常低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，僅為4.5mΩ，這大大減少了導(dǎo)通損耗，從而提高了系統(tǒng)效率。
　　此外，該器件具備快速開(kāi)關(guān)能力，其柵極電荷Qg為9nC，確保在高頻操作下仍能保持高效性能。
　　FDD86250-F085還支持高達(dá)117A的持續(xù)漏電流，滿(mǎn)足高功率應(yīng)用需求。同時(shí)，其小型化和優(yōu)化的熱性能封裝設(shè)計(jì)有助于簡(jiǎn)化散熱管理。
　　該器件工作溫度范圍廣，從-55°C到175°C，適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。

應(yīng)用

FDD86250-F085主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 工業(yè)級(jí)DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　2. 高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)
　　3. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　4. 太陽(yáng)能逆變器
　　5. 通信電源模塊
　　6. 筆記本電腦適配器及充電器
　　其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為這些領(lǐng)域的理想選擇。

替代型號(hào)

FDD86250D, IRF260N, FDP5500

fdd86250-f085推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

fdd86250-f085參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥18.05000剪切帶（CT）2,500 : ￥8.26831卷帶（TR）
  • 系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）150 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)50A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）22 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）37 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）1900 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）160W（Tj）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-252AA
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63