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FDD86250-F085 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/6 17:18:41 查看 閱讀:10

FDD86250-F085是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,主要用于功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于高效率電源設(shè)計(jì)。
  它屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。其出色的性能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件。

參數(shù)

型號(hào):FDD86250-F085
  類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  Vds(漏源電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ
  Id(持續(xù)漏電流):117A
  Qg(柵極電荷):9nC
  Vgs(th)(柵源開(kāi)啟電壓):1.5V
  Pd(最大功耗):240W
  封裝:TO-247

特性

FDD86250-F085具有非常低的導(dǎo)通電阻Rds(on),僅為4.5mΩ,這大大減少了導(dǎo)通損耗,從而提高了系統(tǒng)效率。
  此外,該器件具備快速開(kāi)關(guān)能力,其柵極電荷Qg為9nC,確保在高頻操作下仍能保持高效性能。
  FDD86250-F085還支持高達(dá)117A的持續(xù)漏電流,滿(mǎn)足高功率應(yīng)用需求。同時(shí),其小型化和優(yōu)化的熱性能封裝設(shè)計(jì)有助于簡(jiǎn)化散熱管理。
  該器件工作溫度范圍廣,從-55°C到175°C,適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。

應(yīng)用

FDD86250-F085主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景,包括但不限于:
  1. 工業(yè)級(jí)DC-DC轉(zhuǎn)換器
  2. 高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)
  3. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  4. 太陽(yáng)能逆變器
  5. 通信電源模塊
  6. 筆記本電腦適配器及充電器
  其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為這些領(lǐng)域的理想選擇。

替代型號(hào)

FDD86250D, IRF260N, FDP5500

fdd86250-f085推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

fdd86250-f085參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥18.05000剪切帶(CT)2,500 : ¥8.26831卷帶(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)150 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)50A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)22 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)37 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1900 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)160W(Tj)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-252AA
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63