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FDH055N15A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 14:47:28 查看 閱讀:23

FDH055N15A 是一款由 Fairchild(現(xiàn)為 ON Semiconductor)生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的開(kāi)關(guān)性能等特點(diǎn)。其額定電壓為 150V,適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理等場(chǎng)景。
  該芯片設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化系統(tǒng)的能效,同時(shí)減少發(fā)熱并提高整體可靠性。此外,F(xiàn)DH055N15A 的封裝形式通常為 TO-220 或 DPAK,便于安裝和散熱。

參數(shù)

類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(V_DS):150V
  連續(xù)漏極電流(I_D):5.5A
  導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):0.38Ω(典型值,V_GS=10V時(shí))
  柵極電荷(Q_g):7nC(典型值)
  輸入電容(C_iss):490pF(典型值)
  工作溫度范圍(T_j):-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:TO-220/DPAK

特性

FDH055N15A 具備以下顯著特性:
  1. 高電壓耐受能力:該器件支持高達(dá) 150V 的漏源電壓,使其適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
  2. 低導(dǎo)通電阻:在 V_GS = 10V 時(shí),導(dǎo)通電阻僅為 0.38Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
  3. 快速開(kāi)關(guān)性能:較小的柵極電荷(Q_g)使得該 MOSFET 可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān),從而減少開(kāi)關(guān)損耗。
  4. 高可靠性:通過(guò)嚴(yán)格的制造工藝和測(cè)試流程,確保 FDH055N15A 在惡劣環(huán)境下依然能夠穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 寬工作溫度范圍:從 -55℃ 到 +150℃ 的結(jié)溫范圍,使該器件適用于各種極端環(huán)境下的應(yīng)用。
  6. 小巧封裝:采用 TO-220 和 DPAK 等封裝形式,既節(jié)省空間又方便散熱。

應(yīng)用

FDH055N15A 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效穩(wěn)定的電源解決方案。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于控制直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī),提供精確的速度和方向控制。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:例如可編程邏輯控制器 (PLC) 和變頻器中,作為功率開(kāi)關(guān)元件。
  4. 汽車(chē)電子:在汽車(chē)電池管理系統(tǒng)、啟動(dòng)馬達(dá)和照明電路中發(fā)揮重要作用。
  5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品:如筆記本適配器、電視電源等需要高效率功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。

替代型號(hào)

IRF540N
  FDP55N15
  STP55NF06

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fdh055n15a參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝150
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C156A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.9 毫歐 @ 120A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9445pF @ 75V
  • 功率 - 最大429W
  • 安裝類(lèi)型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247
  • 包裝管件