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FDMS86252 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/25 18:19:54 查看 閱讀：34

FDMS86252 是一款來(lái)自 Fairchild（現(xiàn)為 ON Semiconductor）的 N 灃道制功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其出色的熱性能和電氣性能使其成為多種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的理想選擇。
　　FDMS86252 的封裝形式為 SuperSO8，這種封裝有助于降低寄生電感并提高散熱性能。該器件通常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)合。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：31A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.3mΩ（典型值，于 Vgs=10V 時(shí)）
　　柵極電荷：47nC（典型值）
　　反向恢復(fù)時(shí)間：29ns（典型值）
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C

特性

FDMS86252 具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，能夠有效減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)器件在異常條件下的耐用性。
　　4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
　　5. 良好的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。
　　6. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化以最小化寄生電感，進(jìn)一步提升整體性能。

應(yīng)用

FDMS86252 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 同步整流電路，提高效率并減少熱量產(chǎn)生。
　　3. 負(fù)載開(kāi)關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
　　4. 多種工業(yè)設(shè)備中的功率控制模塊。
　　5. 筆記本電腦適配器和其他便攜式設(shè)備的充電解決方案。
　　6. 電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的電源管理部分。

替代型號(hào)

IRL3803,
　　FDP5500,
　　IXTH40N04L

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fdms86252參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.6A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C51 毫歐 @ 4.6A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds905pF @ 75V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PQFN，Power56
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝Power56
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)FDMS86252TR