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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDMS86252

FDMS86252 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 18:19:54 查看 閱讀�34

FDMS86252 是一款來(lái)� Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)的 N 灃道制功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其出色的熱性能和電氣性能使其成為多種工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�
  FDMS86252 的封裝形式為 SuperSO8,這種封裝有助于降低寄生電感并提高散熱性能。該器件通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整�、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�31A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型�,于 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�47nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:29ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

FDMS86252 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效減少導(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常條件下的耐用��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  5. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
  6. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化以最小化寄生電感,�(jìn)一步提升整體性能�

�(yīng)�

FDMS86252 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 同步整流電路,提高效率并減少熱量�(chǎn)��
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)��
  4. 多種工業(yè)�(shè)備中的功率控制模��
  5. 筆記本電腦適配器和其他便攜式�(shè)備的充電解決方案�
  6. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的電源管理部��

替代型號(hào)

IRL3803,
  FDP5500,
  IXTH40N04L

fdms86252推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdms86252資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdms86252參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.6A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C51 毫歐 @ 4.6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds905pF @ 75V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PQFN,Power56
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Power56
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)FDMS86252TR