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FDN308P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 20:40:22 查看 閱讀�26

FDN308P 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用小型化� SOT-23 封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于各種低電�、小信號(hào)和負(fù)載開�(guān)電路�,具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速的開關(guān)速度,非常適合便攜式�(shè)備和其他對空間和效率有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場��
  FDN308P 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高效且可靠的功率控制性能,在消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  連續(xù)漏極電流�160mA
  脈沖漏極電流�1.2A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5Ω(典型值,Vgs=10V�(shí)�
  功耗:410mW
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

FDN308P 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  3. 高靜電防�(hù)能力(HBM � 2000V),能夠有效保護(hù)器件免受靜電損害�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)行�
  5. 小巧� SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝生�(chǎn)�

�(yīng)�

FDN308P 常用于以下應(yīng)用場景:
  1. 電池供電的便攜式�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊�
  3. 工業(yè)控制系統(tǒng)的低�(cè)開關(guān)�
  4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)切換�
  5. LED �(qū)�(dòng)器中的功率控制元��
  6. 各種需要小型化和高效率的電子電路中�

替代型號(hào)

BSS138
  AO3400
  2SK3175

fdn308p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • FDN308P
  • P-Channel 2.5V Specified PowerTrench...
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fdn308p參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫歐 @ 1.5A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds341pF @ 10V
  • 功率 - 最�460mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�3-SSOT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDN308P-NDFDN308PFSTR