FDN337N-F169 是一款增強型 N 溝道邏輯電平 MOSFET,采用超小型 FGA169 封裝。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,非常適合于需要高效能和節(jié)省空間的應用場景。它廣泛應用于電源管�、負載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等電路��
FDN337N-F169 的最大漏源電壓為 30V,能夠承受較高的電壓波動,并且具備極低的 Rds(on),有助于降低功耗并提高效率�
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏電流:5.8A
最大脈沖漏電流�12A
導通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�1.9nC(典型值)
總電容(Ciss):133pF(典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:FGA169
Rds(on)),可顯著減少功率損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應用場��
3. 極小的封裝尺寸,節(jié)� PCB 空間�
4. 較寬的工作溫度范圍,適應各種惡劣�(huán)境條��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
6. 邏輯電平兼容的柵極驅(qū)�,易于與低電壓控制器配合使用�
1. 開關(guān)電源中的同步整流��
2. 電池供電�(shè)備中的負載開�(guān)�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器的功率開�(guān)�
4. 便攜式電子設(shè)備中的電源管理�
5. 小型電機�(qū)動和控制�
6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的信號切��
FDN337N, IRF7413, AO3400A