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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDN352AP

FDN352AP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/6/3 15:05:01 查看 閱讀�499

FDN352AP是一款高性能的N溝道�(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET�,由Fairchild公司生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電�、低�(kāi)啟電壓和高開(kāi)啟速度等特�(diǎn),適用于用于高頻�(yīng)用和功率�(kāi)�(guān)電路�
  FDN352AP的最大漏極電流為4.5安培,最大耐壓�40伏特。其�(dǎo)通電阻僅�0.07歐姆,這使得它能夠在低電壓條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率開(kāi)�(guān)。此�,F(xiàn)DN352AP的開(kāi)啟電壓非常低,僅�2.5伏特,可以在低電平驅(qū)�(dòng)下迅速開(kāi)��
  該器件還具有快速的�(kāi)啟速度和關(guān)閉速度,從而保證了高頻�(yīng)用中的高效性能。其�(kāi)啟時(shí)間為20納秒,關(guān)閉時(shí)間為15納秒,能夠滿足對(duì)快速切換的要求�
  FDN352AP采用SOT-23封裝,這種封裝形式非常小巧,適合于高密度集成電路設(shè)�(jì)。此�,它還具有良好的熱特性,能夠在高溫環(huán)境下正常工作�

參數(shù)和指�(biāo)

1、漏極電流(ID):最大值為4.5A�
  2、耐壓(VDS):最大值為40V�
  3、導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):僅為0.07Ω,能夠在低電壓條件下�(shí)�(xiàn)高效的功率開(kāi)�(guān)�
  4、開(kāi)啟電壓(VGS(TH)):僅為2.5V,可以在低電平驅(qū)�(dòng)下迅速開(kāi)啟�
  5、開(kāi)啟時(shí)間(ton):�20ns,能夠滿足對(duì)快速切換的要求�
  6、關(guān)閉時(shí)間(toff):�15ns,能夠在高頻�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效性能�
  7、封裝形式:采用SOT-23封裝,小巧且適合高密度集成電路設(shè)�(jì)�

組成�(jié)�(gòu)

FDN352AP采用N溝道MOSFET的結(jié)�(gòu),由漏極、柵極和源極三�(gè)主要部分組成。其�,漏極和源極之間是一�(gè)N型溝道,柵極位于溝道上方,通過(guò)柵極電壓的變化來(lái)控制溝道的導(dǎo)電��

工作原理

�(dāng)柵極電壓高于�(kāi)啟電壓時(shí),柵極與源極之間形成電場(chǎng),將溝道中的電子排斥,導(dǎo)致溝道截?cái)?,即斷開(kāi)�(dǎo)�。當(dāng)柵極電壓低于�(kāi)啟電壓時(shí),柵極電�(chǎng)減小,溝道中的電子重新排�,形成連續(xù)的導(dǎo)電通道,即�(kāi)啟導(dǎo)��

技�(shù)要點(diǎn)

1、低�(dǎo)通電阻:FDN352AP具有較低的導(dǎo)通電�,能夠在低電壓條件下�(shí)�(xiàn)高效的功率開(kāi)�(guān)�
  2、低�(kāi)啟電壓:�(kāi)啟電壓較低,可以在低電平�(qū)�(dòng)下迅速開(kāi)��
  3、高�(kāi)啟速度:具有快速的�(kāi)啟速度和關(guān)閉速度,滿足高頻應(yīng)用的要求�
  4、封裝形式:采用小巧的SOT-23封裝,適合高密度集成電路�(shè)�(jì)�
  5、良好的熱特性:能夠在高溫環(huán)境下正常工作�

�(shè)�(jì)流程

1、根�(jù)具體�(yīng)用需�,選擇合適的參數(shù)和指�(biāo)�
  2、根�(jù)電路要求,確定MOSFET的工作狀�(tài)和工作電壓范圍�
  3、根�(jù)MOSFET的特性曲線和�(shù)�(jù)手冊(cè),計(jì)算電路中的電流和電壓�
  4、根�(jù)�(jì)算結(jié)果,選擇合適的電�、電容等器件,并�(jìn)行電路布局和連接�(shè)�(jì)�
  5、�(jìn)行電路仿真和�(diào)�,驗(yàn)證設(shè)�(jì)的正確性和性能�
  6、對(duì)�(shè)�(jì)�(jìn)行測(cè)試和�(yōu)�,確保性能和可靠��

常見(jiàn)故障及預(yù)防措�

1、過(guò)熱:在高功率工作條件�,MOSFET可能�(huì)�(guò)熱。預(yù)防措施包括合理的散熱�(shè)�(jì)和選擇低�(dǎo)通電阻的器件�
  2、靜電擊穿:靜電擊穿可能�(huì)損壞MOSFET。預(yù)防措施包括合理的靜電保護(hù)措施和使用防靜電工具�
  3、過(guò)電流:過(guò)大的電流可能�(huì)損壞MOSFET。預(yù)防措施包括選擇合適的額定電流和使用過(guò)流保�(hù)電路�
  4、過(guò)壓:�(guò)高的電壓可能�(huì)損壞MOSFET。預(yù)防措施包括選擇合適的額定電壓和使用過(guò)壓保�(hù)電路�

fdn352ap推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdn352ap資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdn352ap參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 1.3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs1.9nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds150pF @ 15V
  • 功率 - 最�460mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�3-SSOT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDN352AP-ND