FDN357N-NL是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOT-23封裝形式。它具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種需要高效能、小體積的應(yīng)用場�。該器件廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、通信�(shè)備以及便攜式�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)電路��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�0.48A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.65Ω(在Vgs=4.5V�(shí)�
總功耗:340mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
FDN357N-NL具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,在相同封裝下提供更高效的性能�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場��
3. 小型SOT-23封裝,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
4. 靜電防護(hù)能力較強(qiáng),提升了器件的可靠性和耐用��
5. 寬工作溫度范�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
該MOSFET主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及電池管理模��
3. 小功率電�(jī)�(qū)�(dòng)和保�(hù)電路�
4. 各種低壓電源管理和信�(hào)切換場景�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源控制單元�
FDN340N, BSS138, SI2302DS