FDN359AN-NL是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用小型SOT-23封裝,適合用于需要高效能和小體積的電路設(shè)計中。它廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)�、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)��
FDN359AN-NL的主要特點是其低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使得它在開�(guān)�(yīng)用中能夠有效減少功率損耗并提升整體效率。此�,該MOSFET還具有快速開�(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定性�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
持續(xù)漏極電流�340mA
脈沖漏極電流�1.1A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6Ω(典型�,Vgs=4.5V時)
總功耗:360mW
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
FDN359AN-NL具有非常低的�(dǎo)通電阻,這對于降低功耗至�(guān)重要。同�,其快速的開關(guān)性能使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
由于采用了SOT-23的小型封�,這款MOSFET可以輕松集成到空間受限的�(shè)計中。它的高耐壓能力�30V)保證了在多種電路環(huán)境下的可靠��
此外,該器件具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能�
FDN359AN-NL常用于負(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理模�、便攜式�(shè)備中的電池保護電路以及信號切換等�(yīng)��
其小巧的尺寸和高效的性能特別適用于手�、平板電�、可穿戴�(shè)備以及其他便攜式電子�(chǎn)品的�(shè)��
另外,這款MOSFET也可用于汽車電子系統(tǒng)的某些部�,例如信息娛樂系�(tǒng)或傳感器接口中的開關(guān)控制�
FDN359AN, BSS138, 2N7000