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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDN537N

FDN537N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 9:02:42 查看 閱讀�10

FDN537N是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝,具有小尺寸和高效性能的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、開(kāi)�(guān)電源、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要低功耗和高效率的電路��
  FDN537N通過(guò)其低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度,能夠有效地降低功耗并提高系統(tǒng)效率。此�,它還具備出色的熱穩(wěn)定性和電氣特�,適合多種低壓應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  最大柵源電壓:±8V
  持續(xù)漏極電流�190mA
  脈沖漏極電流�1.1A
  �(dǎo)通電阻:1.9Ω
  柵極電荷�1.6nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=6ns, toff=10ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�

特�

1. 采用小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
  2. 具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅�1.9Ω,有助于減少功率損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,能�?qū)崿F(xiàn)高頻操作,適合現(xiàn)代電子設(shè)備的需��
  4. 高度可靠的電氣性能,支持長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需求�
  6. 低柵極電荷設(shè)�(jì),�(jìn)一步提升了整體效率�

�(yīng)�

FDN537N適用于以下場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流和初�(jí)�(cè)�(kāi)�(guān)�
  2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  3. 便攜式電子產(chǎn)品,如手�(jī)、平板電腦、筆記本電腦等內(nèi)部的電源管理模塊�
  4. LED�(qū)�(dòng)器及小型電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  5. 各類(lèi)消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的信�(hào)切換與功率傳輸路徑控制�

替代型號(hào)

FDN337N, BSS138, SI2302DS

fdn537n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

fdn537n資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdn537n參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�5,012�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �5.49000剪切帶(CT�3,000 : �2.10900卷帶(TR�
  • 系列PowerTrench?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6.5A(Ta��6.5A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)23 毫歐 @ 6.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)8.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)465 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.5W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3