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FDN5630 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 0:04:21 查看 閱讀：4

FDN5630是一款由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)為ON Semiconductor）生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用小型化的SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種便攜式設(shè)備、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電池供電應(yīng)用中的功率管理場(chǎng)景。
　　FDN5630的設(shè)計(jì)使其在高頻開(kāi)關(guān)電路中表現(xiàn)出色，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動(dòng)器和電源管理模塊等。其工作電壓范圍較廣，同時(shí)具備出色的熱穩(wěn)定性和電氣特性。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：0.47A
　　柵極-源極電壓：±20V
　　導(dǎo)通電阻：1.8Ω（典型值，在Vgs=4.5V時(shí)）
　　總功耗：380mW
　　結(jié)溫范圍：-55°C至150°C
　　封裝形式：SOT-23

特性

FDN5630的特性包括：
　　1. 高效的功率傳輸能力，適用于低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻確保了較低的傳導(dǎo)損耗，提升了整體效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能使得其能夠適應(yīng)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，減少電磁干擾。
　　4. 小巧的SOT-23封裝節(jié)省PCB空間，非常適合對(duì)體積敏感的應(yīng)用環(huán)境。
　　5. 寬泛的工作電壓范圍支持多種不同的電源配置需求。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。

應(yīng)用

FDN5630廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 手機(jī)和平板電腦等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理。
　　2. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器、降壓或升壓電路。
　　4. LED背光驅(qū)動(dòng)器和信號(hào)調(diào)節(jié)電路。
　　5. 各種電池供電設(shè)備的功率控制模塊。
　　6. 數(shù)據(jù)通信和網(wǎng)絡(luò)接口中的信號(hào)切換功能。

替代型號(hào)

AO3400
　　IRLML6402
　　BSS138

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fdn5630參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.7A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 1.7A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds400pF @ 15V
  • 功率 - 最大460mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝3-SSOT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDN5630TR