FDP100N10是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的高壓MOSFET,屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用DPAK封裝形式,具有高擊穿電壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適合應(yīng)用于各種�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(chǎng)�。其出色的性能使其成為許多工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�
該型�(hào)的MOSFET在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效減少功率損耗并提高整體效率�
最大漏源電壓:1000V
連續(xù)漏極電流�1A
柵極-源極電壓:�20V
�(dǎo)通電阻:3.5Ω(典型�,在VGS=10V�(shí)�
總功耗:1.2W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
FDP100N10的主要特性包括:
1. 高耐壓能力�1000V的漏源電壓使其適用于高壓�(huán)境�
2. 低導(dǎo)通電阻:在特定條件下可降低功率損�,提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度:支持高頻操�,適合開(kāi)�(guān)電源和其他高頻應(yīng)用場(chǎng)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工�,最高結(jié)溫可�(dá)175��
5. 小型化封裝:DPAK封裝形式節(jié)省了PCB空間,便于設(shè)�(jì)布局�
6. 可靠性高:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試和�(yàn)證流�,確保長(zhǎng)期使用的可靠��
FDP100N10廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于功率�(zhuǎn)換電路中的開(kāi)�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流或步�(jìn)電機(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
3. 逆變器:�(shí)�(xiàn)直流到交流的�(zhuǎn)��
4. �(fù)載切換:保護(hù)電路免受�(guò)流或其他異常情況的影��
5. PFC(功率因�(shù)校正)電路:提高輸入功率因數(shù),減少諧波失��
6. 其他高壓�(kāi)�(guān)�(yīng)用:如電磁閥�(qū)�(dòng)、照明控制等�(chǎng)��
FDP160N10,
FDP150N10,
IRFP260N