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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDP100N10

FDP100N10 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 11:39:23 查看 閱讀�25

FDP100N10是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的高壓MOSFET,屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用DPAK封裝形式,具有高擊穿電壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適合應(yīng)用于各種�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(chǎng)�。其出色的性能使其成為許多工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�
  該型�(hào)的MOSFET在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效減少功率損耗并提高整體效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:1000V
  連續(xù)漏極電流�1A
  柵極-源極電壓:�20V
  �(dǎo)通電阻:3.5Ω(典型�,在VGS=10V�(shí)�
  總功耗:1.2W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

FDP100N10的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力�1000V的漏源電壓使其適用于高壓�(huán)境�
  2. 低導(dǎo)通電阻:在特定條件下可降低功率損�,提高效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度:支持高頻操�,適合開(kāi)�(guān)電源和其他高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工�,最高結(jié)溫可�(dá)175��
  5. 小型化封裝:DPAK封裝形式節(jié)省了PCB空間,便于設(shè)�(jì)布局�
  6. 可靠性高:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試和�(yàn)證流�,確保長(zhǎng)期使用的可靠��

�(yīng)�

FDP100N10廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于功率�(zhuǎn)換電路中的開(kāi)�(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流或步�(jìn)電機(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
  3. 逆變器:�(shí)�(xiàn)直流到交流的�(zhuǎn)��
  4. �(fù)載切換:保護(hù)電路免受�(guò)流或其他異常情況的影��
  5. PFC(功率因�(shù)校正)電路:提高輸入功率因數(shù),減少諧波失��
  6. 其他高壓�(kāi)�(guān)�(yīng)用:如電磁閥�(qū)�(dòng)、照明控制等�(chǎng)��

替代型號(hào)

FDP160N10,
  FDP150N10,
  IRFP260N

fdp100n10推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdp100n10資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdp100n10參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝400
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 75A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds7300pF @ 25V
  • 功率 - 最�208W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件