FDP86363-F085 是一款由 Fairchild(現(xiàn)為 ON Semiconductor)推出的高性能 N 沃林頓功率 MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,專為高效率和低導通電阻應用設計,適用于開關電源、電機驅動、DC-DC 轉換器等領域。
這款 MOSFET 具有極低的導通電阻和優(yōu)化的開關性能,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。其封裝形式為 PAK85 封裝,適合高密度布局設計。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:160A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:95nC
總電容:475pF
開關時間:典型值 80ns
工作結溫范圍:-55°C 至 +175°C
FDP86363-F085 的主要特點是其超低的導通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為 1.2mΩ,從而大幅降低了導通損耗。
此外,該器件具有較低的柵極電荷和輸出電容,有助于實現(xiàn)快速開關和更高的工作效率。
它還具備出色的熱性能和可靠性,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運行,非常適合對效率和散熱要求較高的應用場景。
其 PAK85 封裝支持高效的熱量傳導,并且易于焊接和安裝,進一步提升了其應用靈活性。
FDP86363-F085 廣泛應用于需要高效功率轉換和處理大電流的場景中,例如:
- 開關模式電源 (SMPS)
- 電機驅動控制
- DC-DC 轉換器
- 逆變器和 UPS 系統(tǒng)
- 工業(yè)自動化設備中的負載切換
- 高電流電池管理及保護電路
FDP86363P-F085, FDP86363-F065