FDS6670A-NL是一款N溝道增強型功率MOSFET,由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用SO-8封裝形式,主要應用于需要高效開關和低導通電阻的場景�。其設計目的是在高頻開關應用中提供卓越的性能,同時具備較低的柵極電荷和輸出電�,從而實�(xiàn)更快的開關速度和更高的效率�
FDS6670A-NL具有出色的Rds(on)特�,適用于多種消費類電子設�、工�(yè)控制以及通信電源等場�。它的額定電壓為20V,適合低壓環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換和負載切換任務�
最大漏源電壓:20V
連續(xù)漏極電流�14.9A
導通電阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷�27nC(典型值)
總電容:1340pF(典型值)
工作結溫范圍�-55℃至+150�
封裝形式:SO-8
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高整體效率�
2. 快速開關特�,得益于低柵極電荷和輸出電容�
3. 較高的連續(xù)漏極電流能力,支持大功率應用�
4. 寬溫度范圍的工作能力,使其適應各種環(huán)境條��
5. 符合Ro>6. SO-8封裝形式,便于安裝與散熱設計�
1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的開關元件�
2. 開關模式電源(SMPS)的功率級應��
3. 各種電機�(qū)動電路�
4. 負載切換和保護電路�
5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 便攜式電子產(chǎn)品中的電池管理單元�
7. 通信設備中的高效功率�(zhuǎn)換解決方��
FDS6670A
FDP5500
IRLZ44N