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FDS6673AZ 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/16 14:05:29 查看 閱讀:16

FDS6673AZ是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)以及其他需要高效能功率轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備中。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合要求高效率和小尺寸的設(shè)計(jì)。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流:25A
  導(dǎo)通電阻:12mΩ
  總功耗:28W
  結(jié)溫范圍:-55℃至175℃

特性

FDS6673AZ具備非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
  其柵極電荷較小,支持高頻開關(guān)操作,從而降低開關(guān)損耗。
  該器件還擁有良好的雪崩耐量能力,提高了在異常工作條件下的可靠性。
  FDS6673AZ采用Power56封裝,這種封裝形式可以有效改善散熱性能,同時(shí)支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生產(chǎn)和裝配。
  此外,該器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用

FDS6673AZ主要應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及汽車電子等領(lǐng)域。
  具體應(yīng)用包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. 直流電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)電路。
  3. 負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  4. LED驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)元件。
  5. 各種電池管理系統(tǒng)的功率通路控制元件。

替代型號(hào)

FDS6673A, FDP5500, IRF540N

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fds6673az參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C14.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.2 毫歐 @ 14.5A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs118nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4480pF @ 15V
  • 功率 - 最大1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)