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FDS6679 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 13:17:36 查看 閱讀�26

FDS6679是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率管理應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高電流處理能力和出色的開關(guān)性能�
  它適用于廣泛的消�(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�26nC
  總電容:1450pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

FDS6679具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的耐用性和可靠��
  4. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
  5. 通過了嚴(yán)格的短路耐受測試,確保在異常情況下的�(wěn)定��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

該器件適用于多種�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器的高端和低端開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
  4. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)�
  5. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  6. 電信�(shè)備中的功率管理模��

替代型號(hào)

FDS6680, FDP5580, IRF6680

fds6679推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fds6679資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • FDS6679Z
  • 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 閱覽

fds6679參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 13A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3939pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)