FDS6679是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率管理應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高電流處理能力和出色的開關(guān)性能�
它適用于廣泛的消�(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�26nC
總電容:1450pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
FDS6679具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的耐用性和可靠��
4. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
5. 通過了嚴(yán)格的短路耐受測試,確保在異常情況下的�(wěn)定��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該器件適用于多種�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器的高端和低端開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
4. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)�
5. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
6. 電信�(shè)備中的功率管理模��
FDS6680, FDP5580, IRF6680