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FDS6680A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/6/26 15:48:37 查看 閱讀�329

FDS6680A是一款N-溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),主要�(yīng)用于低電�、低功耗的�(kāi)�(guān)電路�。該器件由英飛凌(Infineon)公司生�(chǎn),采用了先�(jìn)的PowerTrench? MOSFET技�(shù),具有優(yōu)良的�(dǎo)通特性和低開(kāi)�(tài)電阻�
  FDS6680A的主要特�(diǎn)包括�
  1、低電壓�(qū)�(dòng):FDS6680A的工作電壓范圍為-20V�20V,適用于低電壓應(yīng)用。它能夠在低電壓下實(shí)�(xiàn)高效的開(kāi)�(guān)操作�
  2、低閾值電壓:FDS6680A的閾值電壓為-1V�-2.5V,使其能夠在低電壓下�(shí)�(xiàn)快速的�(kāi)�(guān)操作�
  3、低�(dǎo)通電阻:FDS6680A的導(dǎo)通電阻非常低,約�0.056歐姆,能夠在�(dǎo)通狀�(tài)下實(shí)�(xiàn)較低的功耗和熱量�
  4、快速開(kāi)�(guān)速度:FDS6680A具有快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠在納秒�(jí)別內(nèi)�(shí)�(xiàn)�(kāi)�(guān)操作,適用于高頻率的�(yīng)用�
  5、低反饋電容:FDS6680A的反饋電容非常低,約�100pF,能夠減少開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��
  FDS6680A廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)控制、無(wú)線通信和消�(fèi)電子等領(lǐng)�。它可以用于�(kāi)�(guān)模式電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、LED�(qū)�(dòng)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和�(wú)線充電器等應(yīng)用中。由于其低電�、低功耗和高效的開(kāi)�(guān)特�,F(xiàn)DS6680A能夠提高系統(tǒng)的效率和性能�

參數(shù)和指�(biāo)

工作電壓范圍�-20V�20V
  閾值電壓范圍:-1V�-2.5V
  �(dǎo)通電阻:0.056歐姆
  反饋電容�100pF

組成�(jié)�(gòu)

FDS6680A由P型襯�、源�、漏極和柵極組成。其�,P型襯底是晶體管的基底,用于支持和隔離其他區(qū)�。源極和漏極是導(dǎo)電區(qū)�,通過(guò)控制柵極電壓�(lái)控制電流的流�(dòng)�

工作原理

FDS6680A是一種N-溝道型MOSFET,它的工作原理基于柵極電壓的變化�(lái)控制溝道區(qū)域的電阻。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí),柵極和溝道之間形成正電荷層,使溝道�(dǎo)�。反�,當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí),柵極和溝道之間形成�(fù)電荷�,使溝道�?cái)�?br>

技�(shù)要點(diǎn)

低電壓驅(qū)�(dòng):適用于低電壓應(yīng)�,能夠在低電壓下�(shí)�(xiàn)高效的開(kāi)�(guān)操作�
  低閾值電壓:能夠在低電壓下實(shí)�(xiàn)快速的�(kāi)�(guān)操作�
  低導(dǎo)通電阻:能夠在導(dǎo)通狀�(tài)下實(shí)�(xiàn)較低的功耗和熱量�
  快速開(kāi)�(guān)速度:具有快速的�(kāi)�(guān)速度,適用于高頻率的�(yīng)��
  低反饋電容:減少�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��

�(shè)�(jì)流程

確定�(yīng)用場(chǎng)景和電路需��
  根據(jù)電路需求選擇適�(dāng)?shù)木w管型�(hào),如FDS6680A�
  根據(jù)晶體管的參數(shù)和指�(biāo),設(shè)�(jì)電路原理��
  �(jìn)行電路模擬和�(yōu)�,確保電路的性能和穩(wěn)定��
  制作PCB板并�(jìn)行焊接和組裝�
  �(jìn)行電路測(cè)試和�(diào)�,驗(yàn)證電路的功能和性能�
  根據(jù)�(cè)試結(jié)果�(jìn)行反饋和改�(jìn),直至達(dá)到設(shè)�(jì)要求�

常見(jiàn)故障及預(yù)防措�

�(guò)熱:在設(shè)�(jì)�(guò)程中要考慮散熱措施,如散熱片和�(fēng)扇等�
  電流�(guò)載:合理�(shè)�(jì)電路,避免過(guò)大的電流通過(guò)晶體��
  靜電擊穿:在操作和安裝過(guò)程中要注意防靜電措施,如使用靜電手套和防靜電墊等�
  電壓�(guò)高:確保晶體管的工作電壓不超�(guò)其額定�,避免電壓過(guò)高導(dǎo)�?lián)p壞�

fds6680a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fds6680a資料 更多>

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fds6680a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫歐 @ 12.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs23nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1620pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS6680ATR