FDS6900AS-G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬� Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)旗下的�(chǎn)品系�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電池保�(hù)以及各種功率�(zhuǎn)換電路中�
該型�(hào)的突出特�(diǎn)在于其優(yōu)化的柵極電荷特�,可以顯著降低開�(guān)損�,并且在高頻�(yīng)用場(chǎng)合下表現(xiàn)出優(yōu)異的效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�32A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�27nC
總電容:1420pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
FDS6900AS-G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,得益于其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),適合高頻應(yīng)��
3. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,能夠承受較高的�(jié)�,適用于�(yán)苛的工作�(huán)境�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封裝,滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)�(huán)保的要求�
5. 小型化封裝選�(xiàng),有助于節(jié)� PCB 空間并簡(jiǎn)化設(shè)�(jì)布局�
6. �(yán)格的�(zhì)量控制流程確保了�(chǎn)品的一致性和可靠��
FDS6900AS-G 可用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),如鋰電池保�(hù)和均衡電��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和功率控制�
5. LED �(qū)�(dòng)器和汽車電子系統(tǒng)的功率級(jí)組件�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(yīng)用中的功率處理模��
FDS6900AS, FDS6900A, IRF6900, STP32NF06L