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FDS6900AS-G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 10:04:44 查看 閱讀�22

FDS6900AS-G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬� Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)旗下的�(chǎn)品系�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電池保�(hù)以及各種功率�(zhuǎn)換電路中�
  該型�(hào)的突出特�(diǎn)在于其優(yōu)化的柵極電荷特�,可以顯著降低開�(guān)損�,并且在高頻�(yīng)用場(chǎng)合下表現(xiàn)出優(yōu)異的效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�32A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�27nC
  總電容:1420pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

FDS6900AS-G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,得益于其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),適合高頻應(yīng)��
  3. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,能夠承受較高的�(jié)�,適用于�(yán)苛的工作�(huán)境�
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封裝,滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)�(huán)保的要求�
  5. 小型化封裝選�(xiàng),有助于節(jié)� PCB 空間并簡(jiǎn)化設(shè)�(jì)布局�
  6. �(yán)格的�(zhì)量控制流程確保了�(chǎn)品的一致性和可靠��

�(yīng)�

FDS6900AS-G 可用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),如鋰電池保�(hù)和均衡電��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和功率控制�
  5. LED �(qū)�(dòng)器和汽車電子系統(tǒng)的功率級(jí)組件�
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(yīng)用中的功率處理模��

替代型號(hào)

FDS6900AS, FDS6900A, IRF6900, STP32NF06L

fds6900as-g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fds6900as-g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�12,500市場(chǎng)
  • �(jià)�468 : �7.37060卷帶(TR�
  • 系列PowerTrench?, SyncFET?
  • 包裝卷帶(TR)卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss�30V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6.9A�8.2A
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)27 毫歐 @ 6.9A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA�3V @ 1mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)15nC @ 10V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)600pF @ 15V
  • 功率 - 最大�900mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOIC