FDS6911-NL是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用。該器件采用Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)的先進(jìn)制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適合于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電源管理等應(yīng)用。
該芯片通過(guò)優(yōu)化柵極電荷和導(dǎo)通電阻之間的平衡,能夠顯著提高效率并減少功率損耗,同時(shí)其出色的熱性能使其能夠在高電流密度下穩(wěn)定工作。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:27A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
柵極電荷:38nC(典型值)
輸入電容:1100pF(典型值)
開(kāi)關(guān)速度:非�?�
工作溫度范圍:-55°C至+150°C
FDS6911-NL的主要特性包括低導(dǎo)通電阻以降低傳導(dǎo)損耗,快速開(kāi)關(guān)能力以減少開(kāi)關(guān)損耗,以及強(qiáng)大的雪崩耐量,可提供額外的保護(hù)功能。
此外,該器件采用了PowerTrench技術(shù),從而提高了單位面積內(nèi)的電流承載能力,并增強(qiáng)了熱性能。
FDS6911-NL還具備極低的反向恢復(fù)電荷(Qrr),這有助于進(jìn)一步提高系統(tǒng)的整體效率,尤其是在高頻操作中。
由于其緊湊的封裝設(shè)計(jì),該器件非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景,同時(shí)它也支持表面貼裝技術(shù)(SMD),便于自動(dòng)化生產(chǎn)和裝配。
FDS6911-NL廣泛應(yīng)用于各種功率電子領(lǐng)域,包括但不限于:
1. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)元件。
2. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
3. 筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)電源適配器。
4. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器。
5. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
該器件的高效性能和可靠性使其成為眾多高性能應(yīng)用的理想選擇。
FDS6912NL, FDS6913NL, FDP5500