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FDS6911-NL 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/29 15:39:54 查看 閱讀：35

FDS6911-NL是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），適用于高頻開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用。該器件采用Fairchild Semiconductor（現(xiàn)為ON Semiconductor）的先進(jìn)制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適合于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電源管理等應(yīng)用。
　　該芯片通過(guò)優(yōu)化柵極電荷和導(dǎo)通電阻之間的平衡，能夠顯著提高效率并減少功率損耗，同時(shí)其出色的熱性能使其能夠在高電流密度下穩(wěn)定工作。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：27A
　　導(dǎo)通電阻：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　柵極電荷：38nC（典型值）
　　輸入電容：1100pF（典型值）
　　開(kāi)關(guān)速度：非�？�
　　工作溫度范圍：-55°C至+150°C

特性

FDS6911-NL的主要特性包括低導(dǎo)通電阻以降低傳導(dǎo)損耗，快速開(kāi)關(guān)能力以減少開(kāi)關(guān)損耗，以及強(qiáng)大的雪崩耐量，可提供額外的保護(hù)功能。
　　此外，該器件采用了PowerTrench技術(shù)，從而提高了單位面積內(nèi)的電流承載能力，并增強(qiáng)了熱性能。
　　FDS6911-NL還具備極低的反向恢復(fù)電荷（Qrr），這有助于進(jìn)一步提高系統(tǒng)的整體效率，尤其是在高頻操作中。
　　由于其緊湊的封裝設(shè)計(jì)，該器件非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)它也支持表面貼裝技術(shù)（SMD），便于自動(dòng)化生產(chǎn)和裝配。

應(yīng)用

FDS6911-NL廣泛應(yīng)用于各種功率電子領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)元件。
　　2. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　3. 筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)電源適配器。
　　4. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流器。
　　5. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。　　該器件的高效性能和可靠性使其成為眾多高性能應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

FDS6912NL, FDS6913NL, FDP5500

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