FDS6912-NL 是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN33-8封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),非常適合于要求高效能和小尺寸的應(yīng)用場(chǎng)景。其額定電壓為60V,廣泛用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制領(lǐng)域。
最大漏源電壓(Vds):60V
柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.5V
連續(xù)漏極電流(Id):7A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
功耗(Pd):2.2W
工作結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至150℃
封裝形式:PDFN33-8
FDS6912-NL 具有非常低的導(dǎo)通電阻,這使得它在高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色。同時(shí),該器件的快速開(kāi)關(guān)特性可以減少開(kāi)關(guān)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
由于采用了先進(jìn)的制造工藝,F(xiàn)DS6912-NL 可以提供穩(wěn)定的性能和較高的可靠性。此外,PDFN33-8 封裝具有良好的散熱性能,能夠滿足緊湊型設(shè)計(jì)的需求。
此MOSFET還具備較強(qiáng)的抗靜電能力(ESD),有助于提升系統(tǒng)的魯棒性。
FDS6912-NL 廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理以及LED驅(qū)動(dòng)等電路中。它特別適合需要低導(dǎo)通損耗和高效率的場(chǎng)合,例如智能手機(jī)和平板電腦的充電器、筆記本電腦適配器、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的電源模塊等。
此外,在汽車電子領(lǐng)域,該MOSFET也可用作電池保護(hù)開(kāi)關(guān)或小型電機(jī)控制器中的關(guān)鍵元件。
FDS6913-NL, FDN340P