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FDS6990A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/3/15 11:57:48 查看 閱讀�903

FDS6990A是一款高性能的N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件。它由飛兆半�(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)生�(chǎn),并被廣泛應(yīng)用于各種電源管理和開�(guān)�(yīng)用中�
  該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)和材料,以提供卓越的性能和可靠�。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力,能夠在高溫和高壓的環(huán)境下工作。此外,F(xiàn)DS6990A還具有快速的開關(guān)速度和低開關(guān)損�,有助于提高系統(tǒng)的效��
  FDS6990A的主要特�(diǎn)包括�
  1、N溝道MOSFET�(jié)�(gòu),具有較低的�(dǎo)通電阻;
  2、適用于低電壓和高電壓應(yīng)��
  3、高電流承受能力�
  4、快速的開關(guān)速度�
  5、低開關(guān)損��
  6、高溫和高壓工作能力�
  7、先�(jìn)的封裝技�(shù)和材�,提供卓越的性能和可靠��
  FDS6990A可以廣泛�(yīng)用于各種電源管理和開�(guān)�(yīng)�,包括電源適配器、電池充電器、DC/DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、開�(guān)電源、逆變器等。它可以幫助提高系統(tǒng)的效率和可靠�,降低功耗和熱量�(chǎn)生,從而延長設(shè)備的壽命�

參數(shù)指標(biāo)

1、額定電壓(Vds):60V
  2、額定電流(Id):9A
  3、靜�(tài)�(dǎo)通電阻(Rds(on)):20mΩ
  4、額定功率(Pd):30W
  5、阻塞電壓(Vgs(th)):2-4V
  6、最大功耗溫度(Tj):175°C

組成�(jié)�(gòu)

FDS6990A由N溝道MOSFET晶體管和封裝材料組成。晶體管部分由源�、漏極和柵極組成,在晶體管內(nèi)部通過金屬氧化物層隔離柵極和源漏極�

工作原理

FDS6990A的工作原理是基于場效�(yīng)。當(dāng)施加正向電壓到柵極上�(shí),形成電場,使得柵極和源漏極之間形成�(dǎo)電通道,從而允許電流流�(dòng)。當(dāng)柵極電壓降低到閾值以下時(shí),導(dǎo)電通道�(guān)閉,停止電流流動(dòng)�

技�(shù)要點(diǎn)

1、高電壓和電流能�,適用于高功率應(yīng)��
  2、低�(dǎo)通電�,減小功耗和熱量�(chǎn)��
  3、快速開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用�
  4、低漏電�,提高系�(tǒng)效率�
  5、低電壓閾值,�(shí)�(xiàn)低功耗操��

�(shè)�(jì)流程

1、確定應(yīng)用場景和電氣要求�
  2、選擇適�(dāng)?shù)钠骷愋秃鸵?guī)��
  3、�(jìn)行電路設(shè)�(jì)和模擬仿��
  4、確定封裝和布局�
  5、制造和測試原型�
  6、�(jìn)行性能�(píng)估和�(yōu)化�
  7、批量生�(chǎn)和應(yīng)��

注意事項(xiàng)

1、確保器件工作在額定電壓和電流范圍內(nèi),避免過載和損壞�
  2、控制器件的工作溫度,避免過熱�
  3、保�(hù)器件免受靜電和電磁干擾�
  4、正確選擇驅(qū)�(dòng)電路和保�(hù)電路�

fds6990a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fds6990a資料 更多>

  • 型號(hào)
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  • FDS6990AS
  • Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncF...
  • FAIRCHILD&nbs...
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fds6990a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列PowerTrench®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫歐 @ 7.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs17nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1235pF @ 15V
  • 功率 - 最�900mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS6990ATR