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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FDS7064SN3

FDS7064SN3 發(fā)布時間 時間�2022/10/10 16:07:01 查看 閱讀�479

    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC  表面貼裝� N 通道  3.13W

概述

    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC  表面貼裝� N 通道  3.13W

特�

    16 A�30 V RDS(ON) = 8.0 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V

    用于極低 RDS(ON) 的高性能溝槽技�(shù) ? MOSFET 和肖特基之間無電�

    體二極管正向電壓降低 40%

    �(jīng)過優(yōu)化以減少同步降壓�(wěn)壓器的損�

    FLMP SO-8 封裝,用于增強熱性能�


參數(shù)

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:PowerTrench®

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:邏輯電平門

    額定電壓(DC)�30.0 V

    額定電流�16.0 A

    通道�(shù)�

    漏源極電阻:8 mΩ

    極性:N-Channel

    耗散功率�3 W

    漏源極電�(Vds)�30 V

    漏源擊穿電壓�30 V

    柵源擊穿電壓:�16.0 V

    連續(xù)漏極電流(Ids)�16.0 A

    上升時間�20 ns

    輸入電容(Ciss)�2800pF @15V(Vds)

    額定功率(Max)�1.5 W

    下降時間�18 ns

    工作溫度(Max)�150 �

    工作溫度(Min)�55 �

    耗散功率(Max)�3.13W (Ta)

    安裝方式:Surface Mount

    引腳�(shù)�

    長度�4.9 mm

    寬度�3.9 mm

    高度�1.75 mm

    工作溫度�-55� ~ 150� (TJ)

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�3V @ 1mA

    閘電�(Qg) @ Vgs�35nC @ 5V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �2800pF @ 15V

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)裸露焊盤�8-eSOIC. 8-HSOIC


引腳圖與功能


FDS7064SN3引腳圖

fds7064sn3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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fds7064sn3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C16A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫歐 @ 16A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2800pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm Width)裸露焊�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOIC
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS7064SN3TRFDS7064SN3_NLFDS7064SN3_NLTRFDS7064SN3_NLTR-ND