MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 表面貼裝� N 通道 3.13W
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 表面貼裝� N 通道 3.13W
16 A�30 V RDS(ON) = 8.0 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
用于極低 RDS(ON) 的高性能溝槽技�(shù) ? MOSFET 和肖特基之間無電�
體二極管正向電壓降低 40%
�(jīng)過優(yōu)化以減少同步降壓�(wěn)壓器的損�
FLMP SO-8 封裝,用于增強熱性能�
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:PowerTrench®
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
額定電壓(DC)�30.0 V
額定電流�16.0 A
通道�(shù)�
漏源極電阻:8 mΩ
極性:N-Channel
耗散功率�3 W
漏源極電�(Vds)�30 V
漏源擊穿電壓�30 V
柵源擊穿電壓:�16.0 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�16.0 A
上升時間�20 ns
輸入電容(Ciss)�2800pF @15V(Vds)
額定功率(Max)�1.5 W
下降時間�18 ns
工作溫度(Max)�150 �
工作溫度(Min)�55 �
耗散功率(Max)�3.13W (Ta)
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
長度�4.9 mm
寬度�3.9 mm
高度�1.75 mm
工作溫度�-55� ~ 150� (TJ)
Id 時的 Vgs(th)(最大)�3V @ 1mA
閘電�(Qg) @ Vgs�35nC @ 5V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �2800pF @ 15V
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)裸露焊盤�8-eSOIC. 8-HSOIC