這款N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench?工藝生產(chǎn),該工藝針對rDS(導通)、開關性能和堅固性進行了優(yōu)��
VGS=10V,ID=11.2A�,最大rDS(on�=9.8mΩ
VGS=6V,ID=9A�,最大rDS(on�=16mΩ
高性能溝槽技�,實�(xiàn)極低的rDS(on�
廣泛使用的表面貼裝封裝具有高功率和電流處理能�
100%UIL測試
符合RoHS標準
DC/DC轉換器和離線UPS
分布式電源架構和VRM
24V�48V系統(tǒng)的主開關
高壓同步整流�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.0081Ω
耗散功率�2.5 W
閾值電壓:2.7 V
輸入電容�1228 pF
漏源極電�(Vds)�100 V
上升時間�5.6 ns
輸入電容(Ciss)�1940pF 50V(Vds)
額定功率(Max)�2.5 W
下降時間�4.8 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�5 W
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:SOIC-8
長度�4 mm
寬度�5 mm
高度�1.5 mm
封裝:SOIC-8
RoHS標準:RoHS Compliant
含鉛標準:Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tape&Reel(TR)
制造應用:電源管理,工業(yè)