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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDT434P

FDT434P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 17:16:34 查看 閱讀�27

FDT434P是一種N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于高頻開�(guān)�(yīng)用和功率管理�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定�。其封裝形式通常為TO-252(DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT�。FDT434P廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電源適配器、電池充電器以及其他需要高效功率切換的�(chǎng)��
  作為一款高效的功率MOSFET,F(xiàn)DT434P以其�(yōu)異的電氣特性和可靠性成為眾多設(shè)�(jì)工程師的首選方案�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):70mΩ
  總功耗:1.6W
  工作溫度范圍�-55� to +150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,能夠支持高頻工作環(huán)境,減少磁性元件的體積和成��
  3. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和耐用�,適�(yīng)各種�(yán)苛的工作條件�
  4. 小型化封裝(如TO-252�,便于PCB布局和自�(dòng)化生�(chǎn)�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  6. 柵極電荷較低,驅(qū)�(dòng)損耗小,適用于電池供電�(shè)備等�(duì)能效要求較高的場(chǎng)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
  4. 電池保護(hù)及充放電管理模塊�
  5. LED�(qū)�(dòng)器中的負(fù)載開�(guān)�
  6. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
  7. 汽車電子�(lǐng)域中的輔助功能電路(如車�(nèi)照明、傳感器接口等)�

fdt434p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdt434p資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • FDT434P
  • P-Channel 2.5V Specified PowerTrench...
  • FAIRCHILD
  • 閱覽

fdt434p參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 6A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs19nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1187pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDT434P-ND