FDV303N-NL 是一款由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)制造的 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的工藝技術設�,具有低導通電阻和快速開關特�,適用于各種高效能電源管理應��
這種 MOSFET 的主要特點是其極低的導通電阻(Rds(on)),這使得它非常適合用于電池供電設備、負載開�、DC-DC 轉換器以及電機驅動等應用�。此外,其出色的熱性能和封裝設計確保了在高電流密度下的�(wěn)定運��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.1A
導通電阻(Rds(on)):52mΩ
柵極-源極電壓(Vgs):±20V
功耗:1.2W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:SOT-23
FDV303N-NL 具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)):在典型條件下(Vgs=4.5V�,Rds(on)僅為52mΩ,有助于降低功率損��
2. 快速開關速度:由于其較低的輸入電容和輸出電荷,該器件可以實現(xiàn)快速開�,從而減少開關損��
3. 高靜電放電(ESD)保護能力:能夠承受高達 2kV � HBM ESD 測試,提高了器件的可靠��
4. 小尺寸封裝:采用 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合便攜式設備�
5. 寬工作溫度范圍:支持� -55°C � +150°C 的環(huán)境溫�,適應多種應用場��
FDV303N-NL 廣泛應用于以下領域:
1. 手機和平板電腦中的負載開��
2. DC-DC 轉換器中的同步整� MOSFET�
3. 電池供電設備中的功率管理�
4. USB 電源管理電路�
5. 各類消費電子產品的電源開關控制�
6. 小功率電機驅動和保護電路�
FDN303P, BSS138, AO3400