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FDV303N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/10 15:44:43 查看 閱讀�340

FDV303N是一種N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET�,由Fairchild公司生產(chǎn)。其封裝為SOT-23,具有小型化、耐高溫、低電阻等特�(diǎn),適用于低電�、低電流的應(yīng)用場(chǎng)合�
  FDV303N的額定電壓為20V,最大漏電流�1uA,最大漏極電流為380mA,最小漏極電流為2mA,最大導(dǎo)通電阻為0.13Ω。其工作溫度范圍�-55℃至150℃,可承受高溫環(huán)境下的應(yīng)��
  FDV303N的應(yīng)用領(lǐng)域廣�,例如移�(dòng)�(shè)�、電源管理、電池充放電控制、LED�(qū)�(dòng)、音頻放大器�。在移動(dòng)�(shè)備中,F(xiàn)DV303N可用于控制充電電流和電池保護(hù);在電源管理�,F(xiàn)DV303N可用于控制電源開�(guān)和功率分�;在LED�(qū)�(dòng)�,F(xiàn)DV303N可用于控制LED亮度和顏色;在音頻放大器�,F(xiàn)DV303N可用于控制音量和電源開關(guān)�
  FDV303N具有快速開�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻、低漏電流等�(yōu)�(diǎn),使得其在低電壓、低電流�(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色。同�(shí),其小型化的封裝也方便了PCB板的布局和設(shè)�(jì)�

參數(shù)、指�(biāo)

FDV303N是一種N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET�,其參數(shù)、指�(biāo)如下�
  1、封裝:SOT-23
  2、額定電壓:20V
  3、最大漏電流�1uA
  4、最大漏極電流:380mA
  5、最小漏極電流:2mA
  6、最大導(dǎo)通電阻:0.13Ω
  7、工作溫度范圍:-55℃至150�

組成�(jié)�(gòu)及工作原�

1、組成結(jié)�(gòu)
  FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)由源極、漏極和柵極三部分組�。源極和漏極之間是一段N型半�(dǎo)體,稱為溝道。柵極與溝道之間有一薄的絕緣�,稱為柵氧化��
  2、工作原�
  �(dāng)柵極施加正向電壓�(shí),柵氧化層上的電�(chǎng)�(huì)使溝道中的自由電子受到排�,從而使溝道中的電阻增加,導(dǎo)通電流減�。當(dāng)柵極施加�(fù)向電壓時(shí),柵氧化層上的電�(chǎng)�(huì)使溝道中的自由電子受到吸�,從而使溝道中的電阻減小,導(dǎo)通電流增加。因�,F(xiàn)DV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)的�(dǎo)通電流是由柵極施加的正負(fù)電壓控制��

技�(shù)要點(diǎn)

1、快速開�(guān)速度:FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)具有快速開�(guān)速度,這是由于其柵極和溝道之間的絕緣層很薄,電�(chǎng)�(qiáng)度大,溝道中的自由電子響�(yīng)快�
  2、低�(dǎo)通電阻:FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)的�(dǎo)通電阻很小,這是由于其溝道中的自由電子密度大,從而使溝道電阻��
  3、低漏電流:FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)的漏電流很�,這是由于其漏極和源極之間的絕緣層很好,漏電流幾乎為零�
  4、高溫性能:FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)具有良好的高溫性能,能夠在高溫�(huán)境下正常工作�

�(shè)�(jì)流程

FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)的�(shè)�(jì)流程如下�
  1、確定應(yīng)用場(chǎng)合:首先需要確定FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)的�(yīng)用場(chǎng)�,例如控制電源開�(guān)、控制電�(jī)啟動(dòng)、控制LED�(qū)�(dòng)��
  2、確定電路參�(shù):根�(jù)�(yīng)用場(chǎng)�,需要確定FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)的電路參數(shù),例如額定電壓、最大漏電流、最大漏極電流、最小漏極電流等�
  3、選擇合適的封裝:根�(jù)�(yīng)用場(chǎng)合和電路參數(shù),選擇合適的封裝,例如SOT-23�
  4、�(jìn)行模擬仿真:使用電路仿真軟件�(jìn)行模擬仿�,驗(yàn)證電路的工作性能�
  5、布局和設(shè)�(jì)PCB板:根據(jù)仿真�(jié)果,�(jìn)行電路布局和設(shè)�(jì)PCB��
  6、制造和�(cè)試:制造PCB�,�(jìn)行測(cè)�,驗(yàn)證電路的工作性能�

注意事項(xiàng)

1、靜電防�(hù):在使用FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)時(shí),需要注意靜電防�(hù),避免靜電對(duì)其產(chǎn)生損��
  2、溫度控制:FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)的工作溫度范圍�-55℃至150℃,需要注意溫度控��
  3、電源選擇:在選擇電源時(shí),需要注意電源的額定電壓和電流是否符合FDV303N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)的電路參數(shù)�
  4、PCB�(shè)�(jì):在�(shè)�(jì)PCB板時(shí),需要注意布局和走線的合理�,避免電路干擾和信號(hào)失真�

fdv303n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdv303n資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdv303n參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C680mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐 @ 500mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
  • 功率 - 最�350mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDV303NTR