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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FGA15N120ANTDTU_F109

FGA15N120ANTDTU_F109 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/19 17:31:41 查看 閱讀�441

�(chǎn)品種�(lèi): IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�(lèi): IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-3P
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1200 V
柵極/�(fā)射極最大電�: +/- 20 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 24 A
封裝: Tube
配置: Single
最大工作溫�: + 150

最小工作溫�: - 55

安裝�(fēng)�: Through Hole

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 封裝/批號(hào)
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fga15n120antdtu_f109參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT �(lèi)�NPT 和溝�
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開(kāi)�2.4V @ 15V�15A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最�186W
  • 輸入�(lèi)��(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-3PN
  • 包裝管件