FGA40N65SMD是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為Onsemi)生�(chǎn)。該器件適用于高電壓和高功率應用場合,其額定漏源電壓�650V,連續(xù)漏極電流可達4A。FGA40N65SMD采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和良好的開關特�,適合用于各種電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動以及負載切換等場景�
這款MOSFET采用TO-220封裝形式,便于散熱和安裝。由于其出色的耐壓能力和較低的損�,F(xiàn)GA40N65SMD廣泛應用于工�(yè)控制、消費類電子設備以及汽車電子領域�
額定電壓�650V
額定電流�4A
導通電阻:1.8歐姆(典型值,Vgs=10V�
柵極電荷�30nC(典型值)
輸入電容�780pF(典型值)
最大功耗:115W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FGA40N65SMD的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 較低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗并提高效率�
3. 快速開關性能,可有效降低開關損��
4. 良好的雪崩能�,增強了器件在異常情況下的可靠性�
5. TO-220封裝形式,提供優(yōu)異的散熱性能�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設計中�
FGA40N65SMD適用于以下應用領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)的核心元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 電池保護和負載切��
5. 工業(yè)自動化設備中的電源管理模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電�,
STP4NS60,
FQA40N65,
IXTH40N65L