FGAF20N60SMD是一款高性能的N溝道MOSFET,采用SMD封裝形式。它主要�(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電路、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種功率控制�(chǎng)��
該器件具有較低的�(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)�(guān)性能,能夠有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。其耐壓值為600V,適用于高壓�(huán)境下的功率管理場(chǎng)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�45nC
總電容:350pF
功耗:360W
工作溫度范圍�-55� to +175�
FGAF20N60SMD具備高雪崩能量能�,增�(qiáng)了在異常條件下的魯棒�。同�(shí),其快速開(kāi)�(guān)速度可以顯著降低�(kāi)�(guān)損��
該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,確保了低導(dǎo)通電阻和高可靠�。此�,它的緊湊型SMD封裝�(shè)�(jì)有助于節(jié)省PCB空間,并提高整體系統(tǒng)的散熱性能�
這款MOSFET還支持高效的熱管理和電磁兼容性優(yōu)化,非常適合于要求嚴(yán)格的工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)��
FGAF20N60SMD廣泛用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 逆變�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
5. 充電�
6. 工業(yè)自動(dòng)化控�
由于其出色的電氣特性和可靠性,該器件成為許多高功率密度解決方案的理想選��
FGA20N60SMD, IRF640, STP20NM60