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FGAF40S65AQ 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/16 16:06:12 查看 閱讀：13

FGAF40S65AQ是一款高性能的MOSFET功率晶體管，采用TO-220封裝形式。該器件適用于高效率開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場(chǎng)合。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了導(dǎo)通電阻與開(kāi)關(guān)速度之間的平衡，從而提高了整體系統(tǒng)性能。
　　該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，適合用于高頻開(kāi)關(guān)電路中。同時(shí)，它具備良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力，能夠適應(yīng)各種復(fù)雜的工作環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：4A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：400mΩ
　　柵極電荷：17nC
　　總電容：380pF
　　工作溫度范圍：-55℃ to +150℃

特性

1. 高擊穿電壓：FGAF40S65AQ的額定漏源電壓為650V，使其非常適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：其典型的導(dǎo)通電阻僅為400mΩ，在降低功耗的同時(shí)提升了效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力：較小的柵極電荷（17nC）確保了快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng)時(shí)間，這有助于減少開(kāi)關(guān)損耗并提高工作效率。
　　4. 良好的熱穩(wěn)定性：該器件能夠在極端溫度條件下正常運(yùn)行，從-55℃到+150℃均能保持穩(wěn)定性能。
　　5. 抗靜電保護(hù)：內(nèi)置ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　4. 電池管理
　　5. 照明鎮(zhèn)流器
　　6. 工業(yè)控制設(shè)備
　　FGAF40S65AQ憑借其出色的電氣特性和可靠性，廣泛應(yīng)用于需要高效能量轉(zhuǎn)換及精確控制的場(chǎng)景中。

替代型號(hào)

FGAF40S65ALQ
　　IRFZ44N
　　FQP47P06

fgaf40s65aq推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

fgaf40s65aq參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥31.96000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • IGBT 類(lèi)型溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）650 V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）80 A
  • 電流 - 集電極脈沖 (Icm)160 A
  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）2.1V @ 15V，40A
  • 功率 - 最大值94 W
  • 開(kāi)關(guān)能量132μJ（開(kāi)），62μJ（關(guān)）
  • 輸入類(lèi)型標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷75 nC
  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值17.8ns/81.6ns
  • 測(cè)試條件400V，10A，6 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)274 ns
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3 整包
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-3PF-3