FGB20N60SFD-F085 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要適用于高電壓和高功率的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)秀的熱�(wěn)定性等特�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)域�
其設(shè)�(jì)旨在滿足工業(yè)�(yīng)用中�(duì)效率、可靠性和耐用性的�(yán)格要求,同時(shí)具備出色的電氣性能和抗干擾能力�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�35nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 100kHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
封裝形式:TO-247
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可�(dá) 600V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 連續(xù)漏極電流� 20A,在大電流條件下仍能保持�(wěn)定運(yùn)��
3. �(dǎo)通電阻僅� 0.18Ω,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
4. 柵極電荷較低,僅� 35nC,確??焖俚拈_(kāi)�(guān)速度和高效的能量�(zhuǎn)換�
5. 支持高達(dá) 100kHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
6. �(jié)溫范圍寬廣(-55°C � +150°C�,適�(yīng)各種惡劣的工作環(huán)��
7. 使用 TO-247 封裝形式,便于散熱和安裝,同�(shí)提高了可靠��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
3. 逆變器和變頻器的核心功率器件�
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率管理模��
5. 各種工業(yè)�(shè)備中的高電壓、高功率電子�(kāi)�(guān)�
6. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)的功率級(jí)組件�
FGB25N60SFD-F085, IRF640, STP20NF60