FGB20N60SFD-F085 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要適用于高電壓和高功率的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性等特性,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域。
其設(shè)計(jì)旨在滿足工業(yè)應(yīng)用中對(duì)效率、可靠性和耐用性的嚴(yán)格要求,同時(shí)具備出色的電氣性能和抗干擾能力。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:20A
導(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷:35nC
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá) 100kHz
結(jié)溫范圍:-55°C 至 +150°C
封裝形式:TO-247
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可達(dá) 600V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 連續(xù)漏極電流為 20A,在大電流條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 導(dǎo)通電阻僅為 0.18Ω,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
4. 柵極電荷較低,僅為 35nC,確�?焖俚拈_(kāi)關(guān)速度和高效的能量轉(zhuǎn)換。
5. 支持高達(dá) 100kHz 的開(kāi)關(guān)頻率,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
6. 結(jié)溫范圍寬廣(-55°C 至 +150°C),適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)境。
7. 使用 TO-247 封裝形式,便于散熱和安裝,同時(shí)提高了可靠性。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制元件。
3. 逆變器和變頻器的核心功率器件。
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率管理模塊。
5. 各種工業(yè)設(shè)備中的高電壓、高功率電子開(kāi)關(guān)。
6. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)的功率級(jí)組件。
FGB25N60SFD-F085, IRF640, STP20NF60