FGB3040CS 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝制造的高頻�、高功率放大器芯�,廣泛應(yīng)用于射頻和微波通信�(lǐng)�。該芯片采用增強(qiáng)型假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)技�(shù),具有低噪聲、高增益和寬帶寬的特�。其緊湊的封裝形式使其非常適合于�(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(shè)�(jì)�(chǎng)��
型號(hào):FGB3040CS
工藝:GaAs pHEMT
工作頻率范圍:DC � 40 GHz
增益�15 dB 典型�
輸出功率�1 dB 壓縮�(diǎn)):+20 dBm 典型�
飽和輸出功率�+23 dBm 典型�
噪聲系數(shù)�3.5 dB 典型�
電源電壓�+3 V � +5 V
靜態(tài)電流�80 mA 典型�
封裝形式:氣密封�,陶瓷金屬蓋
尺寸�3 mm x 3 mm x 1 mm
FGB3040CS 的主要特性包括高線性度、低失真以及出色的射頻性能。它在高頻段表現(xiàn)出優(yōu)異的�(wěn)定�,適合于各種�(fù)雜的無線通信系統(tǒng)�
� GaAs 工藝保證了器件能夠在較高的頻率下保持高效�(yùn)�,同�(shí)具備較低的功耗和�(fā)熱水��
此外,這款芯片�(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),能夠簡(jiǎn)化外部電路設(shè)�(jì)并減少外圍元件數(shù)�,從而降低整體解決方案的成本和復(fù)雜度�
FGB3040CS 還支持較寬的工作電壓范圍,增�(qiáng)了其在不同應(yīng)用場(chǎng)景中的適�(yīng)能力�
FGB3040CS 廣泛�(yīng)用于多種射頻和微波系�(tǒng)�,例如:
1. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)無線電通信�(shè)�
2. 軍事雷達(dá)系統(tǒng)
3. �(wèi)星通信終端
4. �(cè)試與�(cè)�?jī)x�
5. �(yī)療成像設(shè)�
6. 高速數(shù)�(jù)鏈路
由于其高增益和低噪聲的特性,該芯片非常適合用作低噪聲放大器(LNA)或�(qū)�(dòng)放大�,為后續(xù)�(jí)提供足夠的信�(hào)�(qiáng)度�
FGB3040CT, FGB3040CW