FGD3245G2-F085V是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì),主要用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電路中。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度和高電流處理能力等特�(diǎn),適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理解決方案�
這款功率MOSFET支持N溝道配置,能夠在較高的電壓下�(wěn)定運(yùn)�,同�(shí)具備良好的熱性能表現(xiàn)。其封裝形式通常為TO-220或類似的表面貼裝/插件封裝,具體取決于制造商的標(biāo)�(zhǔn)�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.07Ω
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間(典型值)�10ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝類型:TO-220
FGD3245G2-F085V擁有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),可以顯著減少功率損耗并提升整體系統(tǒng)效率。此�,它還具有以下優(yōu)�(shì)�
1. 快速開(kāi)�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用環(huán)境�
2. 高耐壓能力,適合在高壓條件下運(yùn)��
3. 熱穩(wěn)定性良好,能夠在極端溫度范圍內(nèi)保持可靠性能�
4. �(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�(guò)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
該型�(hào)廣泛�(yīng)用于各類需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS��
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控��
4. 太陽(yáng)能逆變��
5. 電動(dòng)車充電設(shè)��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
7. LED照明�(qū)�(dòng)電路�
FGD3245G2-F090V, IRF840, STP16NF65