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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FGH12040WD-F155

FGH12040WD-F155 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 14:05:20 查看 閱讀�37

FGH12040WD-F155是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用TO-263封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理�(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等。其�(shè)�(jì)旨在提供高效的功率轉(zhuǎn)換和卓越的熱性能�
  FGH12040WD-F155屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,支持較高的連續(xù)漏極電流,并能夠在高頻條件下保持較低的損�。它廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�155A
  �(dǎo)通電阻:1.7mΩ(典型值)
  總功耗:149W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-263

特�

FGH12040WD-F155具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力,可滿足大功率�(yīng)用需��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,降低開(kāi)�(guān)損�,適合高頻操��
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下可靠�(yùn)��
  5. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��

�(yīng)�

FGH12040WD-F155廣泛用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及逆變器�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切��
  5. 電信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模��

替代型號(hào)

FGH12040LD-F155, FGH12040WD-F150

fgh12040wd-f155推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fgh12040wd-f155參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • IGBT 類型溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)1200 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)80 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)100 A
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)2.9V @ 15V�40A
  • 功率 - 最大�428 W
  • �(kāi)�(guān)能量4.1mJ(開(kāi)��1mJ(關(guān)�
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷226 nC
  • 25°C �(shí) Td(開(kāi)/�(guān))�45ns/560ns
  • �(cè)試條�600V�40A�23 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)71 ns
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-3