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FGH50T65SQD-F155 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 21:11:04 查看 閱讀�20

FGH50T65SQD-F155 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,專為高電壓、高頻率�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適合用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等場景。FGH50T65SQD-F155 采用� TO-247 封裝形式,確保了良好的散熱性能�
  這款芯片以其出色的電氣特性和可靠性在工業(yè)級和消費(fèi)級市場中廣泛�(yīng)�,同�(shí)具備較高的耐壓能力和較低的功率損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:0.03Ω
  柵極電荷�55nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:80ns
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-247

特�

FGH50T65SQD-F155 的主要特�(diǎn)是其卓越的電氣性能與耐用�。它能夠在高電壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,并且通過�(yōu)化的�(dǎo)通電阻顯著降低了功耗。此�,該芯片還具備以下特性:
  1. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高度可靠的短路耐受能力,提升了�(chǎn)品的魯棒��
  3. 極低的寄生電感設(shè)�(jì),適用于高頻�(yīng)用場��
  4. �(nèi)置保�(hù)�(jī)�,可防止過流或過溫情況下的損壞�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

FGH50T65SQD-F155 被廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,特別是在需要高效功率轉(zhuǎn)換和高電壓支持的場合下表�(xiàn)�(yōu)�。典型的�(yīng)用包括:
  - 開關(guān)電源 (SMPS) 和不間斷電源 (UPS)
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)及逆變�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 太陽能逆變�
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
  - 汽車電子系統(tǒng)的功率管理部�

替代型號

FGH50T65SQA-F155
  IRFP460
  STP50NM60E

fgh50t65sqd-f155推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

fgh50t65sqd-f155參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �45.71000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • IGBT 類型溝槽型場截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)100 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)200 A
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V�50A
  • 功率 - 最大�268 W
  • 開關(guān)能量180μJ(開��45μJ(關(guān)�
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷99 nC
  • 25°C �(shí) Td(開/�(guān))�22ns/105ns
  • 測試條件400V�12.5A�4.7 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)31 ns
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-3