FGH75T65SQD-F155 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采� TO-247 封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于需要高效率和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等。其額定電壓� 650V,能夠滿足大多數(shù)高壓�(yīng)用需求�
該型�(hào)的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于�(yōu)化了 Rds(on) � Qg 參數(shù)之間的平�,從而實(shí)�(xiàn)了更高的系統(tǒng)效率和更低的�(fā)�。同�(shí),由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),F(xiàn)GH75T65SQD-F155 具備良好的散熱性能,適合長(zhǎng)�(shí)間連續(xù)�(yùn)行的工業(yè)�(huán)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�75A
脈沖漏極電流�300A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):15mΩ(典型值)
柵極電荷(Qg):95nC(最大值)
輸入電容(Ciss):3800pF
總電容(Crss):60pF
輸出電容(Coss):110pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247
1. 高擊穿電壓:650V 的額定電壓確保了 FGH75T65SQD-F155 在高壓應(yīng)用中的穩(wěn)定性�
2. 超低�(dǎo)通電阻:� 15mΩ 的典型導(dǎo)通電阻顯著降低了功率損�,提高了整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力:較小的柵極電荷和優(yōu)化的寄生電容�(shè)�(jì)使得� MOSFET 可以�(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān),減少開(kāi)�(guān)損��
4. �(qiáng)大的散熱性能:TO-247 封裝提供了優(yōu)秀的熱傳導(dǎo)路徑,使器件能夠在高�(fù)載條件下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
5. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55� � +175� 的結(jié)溫范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用需��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保材料的選擇使其符合�(guó)際環(huán)保法�(guī)要求�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. 太陽(yáng)能逆變�
4. 電動(dòng)汽車牽引逆變�
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
6. LED 照明�(qū)�(dòng)
7. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
8. PFC(功率因�(shù)校正)電�
9. 其他需要高�、大電流和高效切換的�(yīng)用場(chǎng)�