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FGH75T65UPD 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 20:44:10 查看 閱讀�30

FGH75T65UPD 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TO-263 封裝形式,適用于高電流和高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�。其主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度以及良好的熱性能。該功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)��
  FGH75T65UPD 的耐壓值高�(dá) 650V,能夠承受較高的漏源電壓,同�(shí)具備較低的導(dǎo)通電阻(典型值為 0.75Ω�,從而降低了功率損耗并提高了整體效��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�12A
  脈沖漏極電流�36A
  �(dǎo)通電阻:0.75Ω
  總柵極電荷:45nC
  輸入電容�1500pF
  輸出電容�480pF
  反向傳輸電容�200pF
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 高耐壓能力,最大漏源電壓達(dá) 650V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
  2. �(dǎo)通電阻低� 0.75Ω,有效減少功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,總柵極電荷僅為 45nC,適用于高頻�(kāi)�(guān)電路�
  4. 具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在 -55� � +150� 的寬溫度范圍�(nèi)正常工作�
  5. 封裝形式� TO-263,具有良好的散熱性能和易于安裝的特點(diǎn)�
  6. �(nèi)部集� ESD 保護(hù)電路,提高了器件的可靠性�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

FGH75T65UPD 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  3. PFC (功率因數(shù)校正) 電路中的功率�(kāi)�(guān)元件�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  6. 各種需要高效功率管理的電子�(shè)備中作為�(kāi)�(guān)或整流器件使用�

替代型號(hào)

FGH75T65WPD, IRF7575, STP75NF65

fgh75t65upd推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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fgh75t65upd參數(shù)

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 集電極—發(fā)射極最大電� VCEO650 V
  • 集電極—射極飽和電�2.3 V
  • 柵極/�(fā)射極最大電�20 V
  • �25 C的連續(xù)集電極電�150 A
  • 柵極—射極漏泄電�400 nA
  • 功率耗散187 W
  • 封裝 / 箱體TO-247
  • 封裝Tube
  • 安裝�(fēng)�Through Hole