時(shí)間：2025/5/31 2:19:13
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FGHL50T65SQDT是一種高性能的功率MOSFET器件，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)。該器件適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各類工業(yè)控制應(yīng)用等場景，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低能耗。
FGHL50T65SQDT的設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能與小型化的需求，同時(shí)確保其具備優(yōu)良的熱性能和耐用性。
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：50A
導(dǎo)通電阻：0.04Ω
柵極電荷：120nC
總功耗：300W
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
FGHL50T65SQDT采用了超結(jié)（Super-Junction）技術(shù)，這使得它在保持高耐壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻，從而大幅減少了傳導(dǎo)損耗。此外，其優(yōu)化的柵極設(shè)計(jì)確保了快速的開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗。
器件封裝形式為D2PAK，這種封裝方式提供了良好的散熱路徑，使其非常適合需要高功率密度的應(yīng)用環(huán)境。另外，該器件還具有優(yōu)異的雪崩能力和抗電磁干擾性能，能夠在惡劣的工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
由于其出色的電氣特性和可靠性，F(xiàn)GHL50T65SQDT成為許多高性能電力電子系統(tǒng)中的首選解決方案。
FGHL50T65SQDT廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，包括但不限于太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動(dòng)汽車充電裝置、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種類型的開關(guān)模式電源（SMPS）。
在這些應(yīng)用場景中，F(xiàn)GHL50T65SQDT憑借其高效的能量轉(zhuǎn)換能力、緊湊的尺寸和卓越的熱管理特性，幫助工程師實(shí)現(xiàn)更小、更輕且更節(jié)能的設(shè)計(jì)方案。
IRFP460, FGH50N65SMD, STP50NF65
