FGHL75T65LQDT是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用TO-247封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他功率�(zhuǎn)換電路中。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.9mΩ
柵極電荷�180nC
總電容:2000pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
FGHL75T65LQDT的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(650V�,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(1.9mΩ�,可顯著降低傳導(dǎo)損��
3. 較小的柵極電荷(180nC�,有助于實現(xiàn)快速開�(guān)性能�
4. 高溫�(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)可靠運行�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. TO-247封裝,便于散熱設(shè)計和集成到各種功率模塊中�
該芯片適用于多種高壓功率�(zhuǎn)換場�,典型應(yīng)用包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
3. 太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)中的功率轉(zhuǎn)��
4. 工業(yè)�(shè)備中的大功率負載切換�
5. 高頻DC-DC變換器中的同步整流或開關(guān)元件�
IRFP260N, STP30NF65, FDP15U65A