FGHL75T65MQDT是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),專為高功率和高頻應用設�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,廣泛應用于電源管理、電機驅動和工業(yè)自動化領域�
該型號屬于N溝道增強型MOSFET,能夠承受高�650V的漏源極電壓,并具備大電流處理能力�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�75A
導通電阻(典型值)�35mΩ
柵極電荷�95nC
輸入電容�2200pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
FGHL75T65MQDT的主要特性包括:
1. 超低導通電�,可顯著降低功率損耗,提高效率�
2. 快速開關能力,適合高頻開關電源和逆變器應��
3. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下也能可靠運��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和散熱性能,支持長時間高負載運��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
6. �(nèi)置反向二極管,簡化電路設計并提升整體性能�
該器件還具備�(yōu)秀的電磁兼容�,能夠在復雜電磁�(huán)境中�(wěn)定工作�
FGHL75T65MQDT適用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換模��
2. 工業(yè)電機驅動和伺服系�(tǒng)中的功率級控��
3. 新能源設備如太陽能逆變器和風力�(fā)電機中的核心功率元件�
4. 電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及牽引逆變��
5. 高效DC-DC轉換器和AC-DC轉換器設��
6. 大功率LED驅動電路以及其他需要高效功率切換的應用場景�
FGH80T65MQD, IRFP260N, STW118N65DM2